个人简介 

主要从事低功耗集成电路（模拟/数字）、脑机接口与生物医疗芯片设计。研究聚焦 SAR ADC、混合架构 ADC、精密放大器、高精度基准电路及片上校准模块。团队拥有多次成功流片（Tape-out）及测试验证经验，具备芯片设计的全流程经验，注重培养学生的全流程硬核实操能力。

教育背景：

2025年毕业于中山大学，获得博士学位

科研项目：

参与国家级、省级以及校级项目多项

通讯地址：

山东师范大学长清校区文渊楼A区130办公室

研究方向：

· 脑机接口与生物医疗芯片：生物电信号（EEG/ECG）采集前端与植入/穿戴式芯片。

· 低功耗数据转换器（ADC）：超低功耗 SAR ADC、混合架构 ADC、噪声整形 ADC 及校准算法。

· 模拟/混合信号集成电路：低噪声放大器、高精度基准电路（Bandgap）等。

团队招募与竞赛指导：

· 招生/招募：欢迎对集成电路、生物医疗电子感兴趣的本科生（大创/科研/保研）与研究生加入。

· 学科竞赛：积极鼓励并支持本科生、研究生参加全国大学生电子设计竞赛（电赛）、集创赛等学科赛事，可为参赛团队提供相应的硬件条件与技术建议，欢迎感兴趣的同学联系。

联系方式：

· 邮箱： sungaintkang@126.com

· 来信请附：个人简历 + 最新成绩单

代表论文：

1. K. Sun et al., “A 9.68 nW 57.51dB SNDR SAR ADC with Dual Bypass Windows Based on Non-binary Split Capacitors for Biomedical Applications,” in IEEE Transactions on Biomedical Circuits and Systems, doi: 10.1109/TBCAS.2025.3557241.(SCI二区，一作)

2. K. Sun et al., "A 0.6-V 9.38-Bit 6.9-kS/s Capacitor-Splitting Bypass Window SAR ADC for Wearable 12-Lead ECG Acquisition Systems," in IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, vol. 33, no. 7, pp. 1838-1847, July 2025, doi: 10.1109/TVLSI.2025.3559669.(SCI二区，一作)

3. Yin Y , Sun K , Chen H ,et al . “Calibration of Timing mismatch in TIADC Based on Monotonicity Detecting of Sampled Data”[J].IEICE Electronics Express, 2020.doi:10.1587/elex.17.20190699.(SCI四区)

4. K. Sun et al., “A 185 dB FoMS Direct-Integration Third-Order Passive Noise-Shaping SAR ADC for Biomedical Applications,” in 2026 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), Shanghai, China, 2026,.(CCF B类会议，一作)

5. K. Sun, X. Ke, H. Sun, Y. Wang, F. Yan and J. Liu, “A Second-Order Dual-Charge-Pump Passive Noise-Shaping SAR ADC for Medical Implant Devices,” 2024 IEEE 17th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT), Zhuhai, China, 2024, pp. 1-3, doi: 10.1109/ICSICT62049.2024.10831955.(EI会议，一作)

申请专利：

1. 刘京京,孙康康.一种无源前馈式噪声整形SAR ADC结构及其量化方法[P].中国专利:202411179880.3,2024.12.13.  （受理）

2. 刘京京,孙康康,姜园.一种基于电容裂解的SAR ADC电路及其量化方法[P].中国专利: 202311052029.X,2023.12.08.（已授权）

3. 刘京京,孙康康,张雅菲.一种低噪声低功耗动态 CMOS 比较器及其控制方法[P].中国专利: 202510402201.2,2025.0401.（受理）